APT6017LFLLG、APT6017LLLG、APT8024B2LLG对比区别

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型号 APT6017LFLLG APT6017LLLG APT8024B2LLG

描述 N沟道 600V 35ATrans MOSFET N-CH 600V 35A 3Pin(3+Tab) TO-264N沟道 800V 31A

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-264-3 TO-264-3 TO-247-3

额定电压(DC) 600 V 600 V 800 V

额定电流 35.0 A 35.0 A 31.0 A

耗散功率 500000 mW 500W (Tc) 565W (Tc)

输入电容 4.50 nF 4.50 nF 4.67 nF

栅电荷 100 nC 100 nC 160 nC

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 800 V

连续漏极电流(Ids) 35.0 A 35.0 A 31.0 A

上升时间 7 ns 7 ns 5 ns

输入电容(Ciss) 4500pF @25V(Vds) 4500pF @25V(Vds) 4670pF @25V(Vds)

下降时间 6 ns 6 ns 4 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 500W (Tc) 500W (Tc) 565W (Tc)

额定功率(Max) 500 W - 565 W

极性 N-CH - -

封装 TO-264-3 TO-264-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free