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BCX55,115、BCX55-16,115、BAV70W,115对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCX55,115 BCX55-16,115 BAV70W,115

描述 NXP  BCX55,115  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 180 MHz, 500 mW, 1 A, 63 hFENXP  BCX55-16,115  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 180 MHz, 500 mW, 1 A, 100 hFENXP  BAV70W,115  二极管 小信号, 双共阴极, 100 V, 175 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管二极管阵列

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-89-3 SOT-89-3 SOT-323-3

针脚数 3 3 3

正向电压 1.25 V - 1.25V @150mA

反向恢复时间 - - 4 ns

正向电流 - - 175 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) - - 4 A

正向电压(Max) - - 1.25 V

正向电流(Max) - - 175 mA

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -65 ℃

工作结温 - - 150℃ (Max)

耗散功率(Max) 1350 mW 1.25 W 200 mW

频率 180 MHz 180 MHz -

极性 NPN NPN -

耗散功率 500 mW 500 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V -

集电极最大允许电流 1A 1A -

最小电流放大倍数(hFE) 63 @150mA, 2V 100 @150mA, 2V -

额定功率(Max) 1.35 W 1.25 W -

直流电流增益(hFE) 63 100 -

最大电流放大倍数(hFE) 63 @5mA, 2V - -

长度 - 4.6 mm 2.2 mm

宽度 - 2.6 mm 1.35 mm

高度 1.6 mm 1.6 mm 1 mm

封装 SOT-89-3 SOT-89-3 SOT-323-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17