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71V65603S133BQGI、IDT71V65603S133BQI、71V65603S133BQGI8对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71V65603S133BQGI IDT71V65603S133BQI 71V65603S133BQGI8

描述 ZBT SRAM, 256KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165256K ×36 , 512K ×18的3.3V同步ZBT SRAM的 256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs静态随机存取存储器 9M ZBT SLOW X36 P/L 3.3V

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

封装 TBGA-165 TBGA CABGA-165

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 165 - 165

封装 TBGA-165 TBGA CABGA-165

长度 15.0 mm - 15 mm

宽度 13.0 mm - 13 mm

厚度 1.20 mm - 1.20 mm

高度 - - 1.2 mm

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tray Tray Tape & Reel (TR)

ECCN代码 - 3A991 -

电源电压 3.135V ~ 3.465V - 3.135V ~ 3.465V

存取时间 - - 7.5 ns

工作温度(Max) - - 85 ℃

工作温度(Min) - - -40 ℃

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) - -40℃ ~ 85℃ (TA)

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - 无铅