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SI7404DN-T1-GE3、SI7716ADN-T1-GE3、SI7404DN-T1-E3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI7404DN-T1-GE3 SI7716ADN-T1-GE3 SI7404DN-T1-E3

描述 MOSFET N-CH 30V 8.5A PPAK 1212-8Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8Pin PowerPAK 1212 T/RMOSFET N-CH 30V 8.5A PPAK 1212-8

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 8

封装 1212-8 1212 1212-8

漏源极电阻 - 0.0105 Ω 0.022 Ω

耗散功率 1.5W (Ta) 27.7 W 1.5 W

阈值电压 - 2.5 V -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

输入电容(Ciss) - 846pF @15V(Vds) -

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.5W (Ta) 3.5W (Ta), 27.7W (Tc) 1.5W (Ta)

极性 - - N-Channel

漏源击穿电压 - - 30.0 V

栅源击穿电压 - - ±12.0 V

连续漏极电流(Ids) - - 13.3 A

封装 1212-8 1212 1212-8

长度 - - 3.15 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2014/06/16 -