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IRFR9120NTRPBF、IRFR9120TRPBF、IRFR9120NPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR9120NTRPBF IRFR9120TRPBF IRFR9120NPBF

描述 INTERNATIONAL RECTIFIER  IRFR9120NTRPBF  场效应管, MOSFET, P沟道VISHAY  IRFR9120TRPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -5.6 A, -100 V, 0.6 ohm, -10 V, -4 VINTERNATIONAL RECTIFIER  IRFR9120NPBF  场效应管, P通道, MOSFET, -100V, 6.6A D-PAK 新

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) Vishay Semiconductor (威世) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3

额定电压(DC) -100 V - -100 V

额定电流 -6.60 A - -6.60 A

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.48 Ω 0.6 Ω 0.48 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 40 W 42 W 40 W

产品系列 IRFR9120N - IRFR9120N

阈值电压 4 V - 4 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 - - -100 V

连续漏极电流(Ids) -6.60 A, 6.50 A -5.60 A -6.60 A

上升时间 47.0 ns 29 ns 47 ns

输入电容(Ciss) 350pF @25V(Vds) - 350pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 40 W - 40 W

下降时间 - 25 ns 31 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 42 W 40000 mW

长度 6.73 mm 6.73 mm 6.73 mm

高度 - 2.38 mm 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3

宽度 - 6.22 mm -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active - Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2014/12/17

ECCN代码 - - EAR99