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BZT52C5V6S、PZU5.6B,115、BZX384C5V6-E3-18对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZT52C5V6S PZU5.6B,115 BZX384C5V6-E3-18

描述 Zener Diode, 5.6V V(Z), 7.14%, 0.2W, Silicon, Unidirectional, ULTRA SMALL PACKAGE-2PZU-B 系列 5.1 V ±5 % 310 mW 表面贴装 单 齐纳二极管 SOD-323FZener Diode, 5.6V V(Z), 5%, 0.2W, Silicon, Unidirectional, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

数据手册 ---

制造商 Rectron Semiconductor NXP (恩智浦) Vishay Intertechnology

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

封装 - SOD-323 -

容差 - ±5 % -

正向电压 - 1.1V @100mA -

耗散功率 - 550 mW -

测试电流 - 5 mA -

稳压值 - 5.615 V -

正向电压(Max) - 1.1V @100mA -

额定功率(Max) - 310 mW -

耗散功率(Max) - 550 mW -

封装 - SOD-323 -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -

温度系数 - 1.9 mV/K -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -