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DSA10I100PM、STTH806DTI、STTH812FP对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DSA10I100PM STTH806DTI STTH812FP

描述 IXYS SEMICONDUCTOR  DSA10I100PM  小信号肖特基二极管, 单, 100 V, 10 A, 720 mV, 220 A, 175 °C串联600V超快的升压二极管 Tandem 600V HYPERFAST BOOST DIODESTMICROELECTRONICS  STTH812FP  快速/超快二极管, 单, 1.2 kV, 8 A, 1.25 V, 50 ns, 80 A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 肖特基二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 2 2

封装 TO-220-2 TO-220-2 TO-220-2

额定电压(DC) - 600 V 1.20 kV

额定电流 - 8.00 A 8.00 A

输出电流 - ≤8.00 A ≤8.00 A

正向电压 720 mV 3.6V @8A 1.25 V

极性 - Standard Standard

热阻 - 2.6 ℃/W 5.4℃/W (RθJC)

反向恢复时间 - 30 ns 100 ns

正向电流 10 A 8000 mA 8 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 220 A 180 A 80 A

正向电压(Max) 720 mV 3.6V @8A 1.25 V

正向电流(Max) 10 A 8000 mA 8 A

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -65 ℃

工作结温 - 175℃ (Max) 175℃ (Max)

工作结温(Max) 175 ℃ - 175 ℃

针脚数 3 - -

耗散功率(Max) 35000 mW - -

负载电流 - 8 A -

长度 - - 10.4 mm

宽度 - - 4.6 mm

高度 - - 16.4 mm

封装 TO-220-2 TO-220-2 TO-220-2

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Each Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -