IRFR120NTRPBF、IRFR120NTRRPBF、IRFR120NTRLPBF对比区别

高亮显示差异参数

型号 IRFR120NTRPBF IRFR120NTRRPBF IRFR120NTRLPBF

描述 INFINEON  IRFR120NTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 9.4 A, 100 V, 0.21 ohm, 10 V, 4 VDPAK N-CH 100V 9.4AHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 39 W - 39 W

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.21 Ω - 0.21 Ω

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 48 W 48W (Tc) 48 W

阈值电压 4 V - 4 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 9.4A 9.4A 9.4A

上升时间 23 ns - 23 ns

输入电容(Ciss) 330pF @25V(Vds) 330pF @25V(Vds) 330pF @25V(Vds)

下降时间 23 ns - 23 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 48W (Tc) 48W (Tc) 48 W

通道数 1 - -

漏源击穿电压 100 V - -

额定功率(Max) 48 W - -

长度 6.5 mm - 6.73 mm

宽度 6.22 mm - 6.22 mm

高度 2.3 mm - 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -