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1N2999RC、JANTX1N2999B、JAN1N2999RB对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N2999RC JANTX1N2999B JAN1N2999RB

描述 10瓦齐纳二极管 10 WATT ZENER DIODES10瓦齐纳二极管 10 WATT ZENER DIODES10瓦齐纳二极管 10 WATT ZENER DIODES

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

封装 DO-4 DO-203AA DO-4

引脚数 - 2 2

封装 DO-4 DO-203AA DO-4

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tray Tray

测试电流 - 45 mA 45 mA

稳压值 - 56 V 56 V

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

容差 - ±5 % -

正向电压 - 1.5V @2A -

耗散功率 - 10 W -

额定功率(Max) - 10 W -

RoHS标准 - Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -