锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IPB05N03LA、IPB05N03LAG、IPB055N03LGATMA1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPB05N03LA IPB05N03LAG IPB055N03LGATMA1

描述 的OptiMOS 2功率三极管 OptiMOS 2 Power-TransistorOptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-TransistorInfineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB055N03LGATMA1, 50 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 D2PAK TO-263-3

引脚数 - - 3

额定电压(DC) 25.0 V 25.0 V -

额定电流 80.0 A 80.0 A -

极性 N-CH - N-Channel

耗散功率 94W (Tc) - 68 W

漏源极电压(Vds) 25 V 25.0 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 80.0 A 80.0 A 50A

上升时间 26.0 ns - 5.2 ns

输入电容(Ciss) 3110pF @15V(Vds) - 3200pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 94 W - 68 W

耗散功率(Max) 94W (Tc) - 68 W

输入电容 - 3.11 nF -

栅电荷 - 25.0 nC -

额定功率 - - 68 W

下降时间 - - 4 ns

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 TO-263-3 D2PAK TO-263-3

长度 - - 10.31 mm

宽度 - - 9.45 mm

高度 - - 4.57 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 - - No SVHC