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ISYE-1009RH-8、ISYE-1009RH/PROTO、ISYE-1009EH-Q对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ISYE-1009RH-8 ISYE-1009RH/PROTO ISYE-1009EH-Q

描述 抗辐射2.5V参考 Radiation Hardened 2.5V Reference抗辐射2.5V参考 Radiation Hardened 2.5V Reference1-OUTPUT TWO TERM VOLTAGE REFERENCE, 2.5V, BCC3, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, SMD-3

数据手册 ---

制造商 Intersil (英特矽尔) Intersil (英特矽尔) Intersil (英特矽尔)

分类 电压基准芯片电压基准芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 CLCC CLCC QCCN

输出电压 2.5 V 2.5 V -

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ 55 ℃ -

精度 6 mV 6 mV -

长度 10.28 mm 10.28 mm -

宽度 7.64 mm 7.64 mm -

高度 3.15 mm 3.15 mm -

封装 CLCC CLCC QCCN

产品生命周期 Obsolete Active Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

香港进出口证 NLR - -