STP8NC60FP、TK8A55DA、STP9NK60ZFP对比区别

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型号 STP8NC60FP TK8A55DA STP9NK60ZFP

描述 N沟道600V - 0.85ohm - 7A TO- 220 / TO- 220FP PowerMesh⑩II MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.85ohm - 7A TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩II MOSFETTO-220SIS N-CH 550V 7.5ASTMICROELECTRONICS  STP9NK60ZFP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 600 V, 950 mohm, 10 V, 3.75 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Toshiba (东芝) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - - 3

封装 TO-220 SC-67 TO-220-3

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.95 Ω

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 - - 30 W

阈值电压 - - 3.75 V

漏源极电压(Vds) 600 V 550 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 7A 7.5A 7.00 A

上升时间 - - 17 ns

输入电容(Ciss) - 800pF @25V(Vds) 1110pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 40 W 30 W

下降时间 - - 15 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 30W (Tc)

长度 - - 10.4 mm

宽度 - - 4.6 mm

高度 - - 16.4 mm

封装 TO-220 SC-67 TO-220-3

工作温度 - 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17