SIA411DJ-T1-E3、SIA429DJT-T1-GE3、SIA411DJ-T1-GE3对比区别

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型号 SIA411DJ-T1-E3 SIA429DJT-T1-GE3 SIA411DJ-T1-GE3

描述 MOSFET 20V 12A 19W 30mohm @ 4.5VMOSFET P-CH 20V 12A SC-70MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 6

封装 PowerPAK-SC70-6 SC-70-6 SC-70-6

极性 - - P-Channel

耗散功率 3.5W (Ta), 19W (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc)

漏源极电压(Vds) 20 V - 20 V

连续漏极电流(Ids) - - -12.0 A

输入电容(Ciss) 1200pF @10V(Vds) 1750pF @10V(Vds) 1200pF @10V(Vds)

耗散功率(Max) 3.5W (Ta), 19W (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc)

封装 PowerPAK-SC70-6 SC-70-6 SC-70-6

长度 2.05 mm - -

宽度 2.05 mm - -

高度 0.75 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free