FQP34N20L、FQU2N100TU、FQP6N40CF对比区别
型号 FQP34N20L FQU2N100TU FQP6N40CF
描述 LOGIC 200V N沟道MOSFET 200V LOGIC N-Channel MOSFETQFET® N 通道 MOSFET，高达 5.9A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 -
封装 TO-220-3 TO-251-3 TO-220-3
额定电压(DC) 200 V 1.00 kV -
额定电流 31.0 A 1.60 A -
漏源极电阻 57.0 mΩ 7.10 Ω 1.10 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 180W (Tc) 2.5 W 73 W
漏源极电压(Vds) 200 V 1000 V 400 V
漏源击穿电压 200 V 1.00 kV 400 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±30.0 V ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 31.0 A 1.60 A 6.00 A
上升时间 - 30 ns 65 ns
输入电容(Ciss) 3900pF @25V(Vds) 520pF @25V(Vds) 625pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 2.5 W 73 W
下降时间 - 35 ns 38 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 180W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 73W (Tc)
长度 - 6.8 mm 10.67 mm
宽度 - 2.5 mm 4.7 mm
高度 - 7.57 mm 16.3 mm
封装 TO-220-3 TO-251-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99