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IRG4PH30KD、IRG4PH30KDPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRG4PH30KD IRG4PH30KDPBF

描述 Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 20A 3Pin (3+Tab) TO-247ACIRG4PH30KDPBF 系列 1200 V 10 A N 沟道 超快 IGBT - TO-247AC

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-247-3 TO-247-3

额定功率 100 W 100 W

针脚数 - 3

极性 - N-Channel

耗散功率 - 100 W

上升时间 - 79.0 ns

击穿电压(集电极-发射极) 1200 V 1200 V

反向恢复时间 50 ns 50 ns

额定功率(Max) 100 W 100 W

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 100000 mW

长度 - 15.9 mm

宽度 - 5.3 mm

高度 - 20.3 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 Bulk Bulk

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99