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JANTX1N5526B-1、LVA368A、1N5526B-1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX1N5526B-1 LVA368A 1N5526B-1

描述 无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mWLow Voltage Avalanche ZenerPZener Diode, 6.8V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, DO-35, 2 PIN

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) M/A-Com

分类 齐纳二极管

基础参数对比

引脚数 2 2 -

封装 DO-35 DO-35 -

安装方式 Through Hole - -

测试电流 1 mA 1 mA -

稳压值 6.8 V 6.8 V -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

容差 ±5 % - -

正向电压 1.1V @200mA - -

耗散功率 417 mW - -

额定功率(Max) 500 mW - -

封装 DO-35 DO-35 -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag - -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant -

含铅标准 - -

工作温度 -65℃ ~ 175℃ - -