IS61QDB22M18-250M3、IS61QDB22M18A-250M3L、IS61QDB22M18-250M3L对比区别

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型号 IS61QDB22M18-250M3 IS61QDB22M18A-250M3L IS61QDB22M18-250M3L

描述 SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-Bit 2M x 18 0.45ns 165Pin FBGA静态随机存取存储器 36Mb 2Mx18 250Mhz QUAD Sync 静态随机存取存储器DDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17MM, 1MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-165

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165 165

封装 BGA-165 FBGA-165 FBGA-165

电源电压(DC) 1.80 V, 1.89 V (max) - 1.80 V, 1.89 V (max)

供电电流 - - 700 mA

时钟频率 250MHz (max) - 250MHz (max)

位数 18 - 18

存取时间 4 ns - 0.45 ns

内存容量 36000000 B - 36000000 B

存取时间(Max) 0.45 ns - 0.45 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 1.71V ~ 1.89V 1.71V ~ 1.89V 1.71V ~ 1.89V

电源电压(Max) 1.89 V - -

电源电压(Min) 1.71 V - -

封装 BGA-165 FBGA-165 FBGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

ECCN代码 - - EAR99