IS43LR16800F-6BL、IS43LR16800G-6BL对比区别

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型号 IS43LR16800F-6BL IS43LR16800G-6BL

描述 128M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx16, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS128m, 1.8V, Mobile Ddr, 8mx16, 166MHz, 60 Ball Bga (8mmx10mm) Rohs

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片存储芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 60 60

封装 BGA-60 TFBGA-60

供电电流 85 mA 80 mA

位数 - 16

存取时间 6 ns 5.5 ns

存取时间(Max) 8ns, 5.5ns 6 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V

电源电压(Max) 1.95 V -

电源电压(Min) 1.7 V -

封装 BGA-60 TFBGA-60

高度 0.7 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

ECCN代码 - EAR99