ISL9N312AD3、FDU8882_NL、FDU8882对比区别

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型号 ISL9N312AD3 FDU8882_NL FDU8882

描述 N沟道逻辑电平PWM优化UltraFET沟道功率MOSFET N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETsN沟道PowerTrench MOSFET的 N-Channel PowerTrench MOSFETMOSFET N-CH 30V 55A I-PAK

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-251 TO-251 TO-251-3

漏源极电阻 20.0 mΩ - -

极性 N-Channel N-CH -

耗散功率 75.0 W - 55W (Tc)

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 50.0 A 55A -

输入电容(Ciss) - - 1260pF @15V(Vds)

耗散功率(Max) - - 55W (Tc)

封装 TO-251 TO-251 TO-251-3

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tube - -

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - 无铅

工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

ECCN代码 - EAR99 -