BSC080N03MSGATMA1、FDMS7692A、SIE800DF-T1-E3对比区别

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型号 BSC080N03MSGATMA1 FDMS7692A SIE800DF-T1-E3

描述 Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC080N03MSGATMA1, 53 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装N沟道MOSFET的PowerTrench 30 V ， 8毫欧 N-Channel PowerTrench® MOSFET 30 V, 8 mΩN沟道30 V （D -S ）的MOSFET N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 10

封装 PG-TDSON-8 Power-56-8 -

通道数 - 1 -

漏源极电阻 0.0067 Ω 0.0068 Ω 0.0072 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 35 W 2.5 W 104 W

阈值电压 1 V 2 V 2.2 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 - 30 V -

连续漏极电流(Ids) 13A 13.5A 50.0 A

上升时间 5.4 ns 2.7 ns -

输入电容(Ciss) 1600pF @15V(Vds) 1350pF @15V(Vds) -

额定功率(Max) - 2.5 W -

下降时间 5.6 ns 2.3 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 35W (Tc) 2.5W (Ta), 27W (Tc) -

额定功率 35 W - -

针脚数 8 - -

长度 5.35 mm 6 mm -

宽度 6.1 mm 5 mm -

高度 1.1 mm 1.1 mm -

封装 PG-TDSON-8 Power-56-8 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/06/15