STB60NF06、STB60NF06L、STB60NF06LT4对比区别

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型号 STB60NF06 STB60NF06L STB60NF06LT4

描述 N沟道60V - 0.014ohm - 60A D2PAK STripFET⑩功率MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A D2PAK STripFET⑩ POWER MOSFETN沟道60V - 0.012ヘ - 60A - TO- 220 / D2PAK / TO- 220FP STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 0.012ヘ - 60A - TO-220/D2PAK/TO-220FP STripFET⑩ II Power MOSFETSTMICROELECTRONICS  STB60NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 5 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

封装 D2PAK D2PAK TO-263-3

引脚数 - - 3

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

额定电压(DC) - - 60.0 V

额定电流 - - 60.0 A

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.016 Ω

极性 N-CH - N-Channel

耗散功率 - - 110 W

阈值电压 - - 1 V

漏源击穿电压 - - 60 V

栅源击穿电压 - - ±15.0 V

连续漏极电流(Ids) 60A - 60.0 A

上升时间 - - 220 ns

输入电容(Ciss) - - 2000pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 110 W

下降时间 - - 30 ns

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

耗散功率(Max) - - 110W (Tc)

封装 D2PAK D2PAK TO-263-3

长度 - - 10.4 mm

宽度 - - 9.35 mm

高度 - - 4.6 mm

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

工作温度 - - -65℃ ~ 175℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99