IRF3808、IRF3808PBF、3808对比区别

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型号 IRF3808 IRF3808PBF 3808

描述 TO-220AB N-CH 80V 140AHEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 TO-220 TO-220-3 -

额定功率 - 330 W -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.007 Ω -

极性 N-CH N-Channel -

耗散功率 - 330 W -

阈值电压 - 4 V -

输入电容 - 5310pF @25V -

漏源极电压(Vds) 80 V 75 V -

漏源击穿电压 - 75 V -

连续漏极电流(Ids) 140A 140A -

上升时间 - 140 ns -

输入电容(Ciss) - 5310pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 330 W -

下降时间 - 120 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 330W (Tc) -

长度 - 10.67 mm -

宽度 - 4.83 mm -

高度 - 16.51 mm -

封装 TO-220 TO-220-3 -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -