IRL540NSTRRPBF、STB40NF10T4、IRL540NSTRLPBF对比区别

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型号 IRL540NSTRRPBF STB40NF10T4 IRL540NSTRLPBF

描述 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 0.044Ω; ID 36A; D2Pak; PD 140W; VGS +/-16VSTMICROELECTRONICS  STB40NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 28 mohm, 10 V, 2.8 VMOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 0.044Ω; ID 36A; D2Pak; PD 140W; VGS +/-16V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 D2PAK TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V

额定电流 36.0 A 50.0 A 36.0 A

额定功率 3.8 W - -

漏源极电阻 0.063 Ω 0.028 Ω 0.063 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 3.8 W 150 W 3.8 W

产品系列 IRL540NS - IRL540NS

输入电容 1800pF @25V - 1800pF @25V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 36.0 A 50.0 A 36.0 A

上升时间 81.0 ns 63 ns 81.0 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

通道数 - 1 1

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 2.8 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

输入电容(Ciss) - 1780pF @25V(Vds) 1800pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 150 W 3.8 W

下降时间 - 28 ns -

耗散功率(Max) - 150W (Tc) -

长度 10.67 mm 10.4 mm 10.67 mm

高度 4.83 mm 4.6 mm 4.83 mm

封装 D2PAK TO-263-3 TO-263-3

宽度 - 9.35 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -50℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -