IS61WV51216BLL-10MLI、IS61WV51216BLL-10MLI-TR、CY62157EV30LL-45BVXIT对比区别

高亮显示差异参数

型号 IS61WV51216BLL-10MLI IS61WV51216BLL-10MLI-TR CY62157EV30LL-45BVXIT

描述 SRAM, 8 Mbit, 512K x 16位, 2.4V 至 3.6V, BGA, 48 引脚, 10 nsSRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-Bit 512K x 16 10ns 48Pin Mini-BGA T/RSRAM, MoBL®, 8 Mbit, 512K x 16位, 2.2V 至 3.6V, VFBGA, 48 引脚, 45 ns

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 48 48 48

封装 BGA-48 BGA-48 VFBGA-48

电源电压(DC) - - 3.30 V, 3.60 V (max)

供电电流 - - 25 mA

针脚数 48 - 48

时钟频率 - - 45.0 GHz

位数 16 16 16

存取时间 10 ns 10 ns 45 ns

内存容量 - - 8000000 B

存取时间(Max) 10 ns 10 ns 45 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.4V ~ 3.6V 2.4V ~ 3.6V 2.2V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V - -

电源电压(Min) 2.4 V - -

封装 BGA-48 BGA-48 VFBGA-48

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 PB free 无铅 Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 3A991.b.2.a