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ICTE8HE3_A/D、ICTE8-E3/51、1N6374-E3/73对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ICTE8HE3_A/D ICTE8-E3/51 1N6374-E3/73

描述 Tvs Diode 8vwm 11.5vc 1.5keESD 抑制器/TVS 二极管 1.5KW 8.0V UnidirectESD 抑制器/TVS 二极管 1500W 8.0V Unidirect AEC-Q101 Qualified

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 二极管二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-201AA DO-201AA DO-201-2

工作电压 - 8 V 8 V

击穿电压 - 9.4 V 9.4 V

钳位电压 - 11.5 V 11.5 V

脉冲峰值功率 1500 W 1500 W 1500 W

最小反向击穿电压 9.4 V 9.4 V 9.4 V

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

长度 - - 9.5 mm

封装 DO-201AA DO-201AA DO-201-2

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 Lead Free