IRL2910、IRL2910PBF对比区别
型号 IRL2910 IRL2910PBF
描述 N沟道 100V 55AN 通道功率 MOSFET 50A 至 59A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220 TO-220-3
额定电压(DC) 100 V -
额定电流 55.0 A -
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 0.026 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 200 W 200 W
产品系列 IRL2910 -
阈值电压 - 2 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
漏源击穿电压 100V (min) 100 V
连续漏极电流(Ids) 55.0 A 55A
上升时间 100 ns 100 ns
输入电容(Ciss) 3700pF @25V(Vds) 3700pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
下降时间 55 ns 55 ns
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 200000 mW 200W (Tc)
额定功率 - 200 W
通道数 - 1
封装 TO-220 TO-220-3
长度 - 10.54 mm
宽度 - 4.69 mm
高度 - 8.77 mm
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 - -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
香港进出口证 - -
材质 Silicon Silicon
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)