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BSP62、BSP62,115、BSP62T/R对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSP62 BSP62,115 BSP62T/R

描述 NXP### 双极性晶体管,NXP SemiconductorsNexperia BSP62,115 PNP 达林顿晶体管对, -1 A, Vce=80 V, HFE=1000, 3 + Tab引脚 SOT-223封装Small Signal Bipolar Transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世) Nexperia (安世)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SOT-223 TO-261-4 -

引脚数 - 4 -

最小电流放大倍数(hFE) 1000 2000 @500mA, 10V -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 1.25 W 1250 mW -

针脚数 - 3 -

耗散功率 - 1.25 W -

击穿电压(集电极-发射极) - 80 V -

最大电流放大倍数(hFE) - 1000 -

额定功率(Max) - 1.25 W -

直流电流增益(hFE) - 2000 -

增益带宽 - 200 MHz -

长度 6.7 mm 6.7 mm -

宽度 3.7 mm 3.7 mm -

高度 1.7 mm 1.7 mm -

封装 SOT-223 TO-261-4 -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅 -

工作温度 - 150℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -