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PUMD4、PUMD4,115对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PUMD4 PUMD4,115

描述 NXP  PUMD4  双极晶体管阵列, BRT, NPN, PNP, 50 V, 200 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363Nexperia PUMD4,115 双 NPN + PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:无, 6引脚 UMT封装

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6

封装 SOT-363 TSSOP-6

耗散功率 200 mW 300 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

最小电流放大倍数(hFE) 200 200 @1mA, 5V

额定功率(Max) - 300 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 300 mW

针脚数 6 -

极性 NPN, PNP -

集电极最大允许电流 100mA -

直流电流增益(hFE) 200 -

长度 2.2 mm 2.2 mm

宽度 1.35 mm 1.35 mm

高度 1 mm 1 mm

封装 SOT-363 TSSOP-6

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99