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NTE5599、T9G0101203DH、T9G0121203DH对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NTE5599 T9G0101203DH T9G0121203DH

描述 NTE ELECTRONICS  NTE5599  可控硅, 1.2kV V(DRM),1.8kA I(T),TO-2001000V, 1200A phase control single thyristorPOWEREX  T9G0121203DH  晶闸管, SCR, 1880A, 1200V, T9G, 1880A

数据手册 ---

制造商 NTE Electronics Powerex Powerex

分类 SCR晶闸管SCR晶闸管SCR晶闸管

基础参数对比

安装方式 - Chassis Chassis

封装 TO-200 TO-200 Pow-R-Disc

引脚数 3 - 2

封装 TO-200 TO-200 Pow-R-Disc

工作温度 - -40℃ ~ 125℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

额定电流 - - 1.88 kA

工作温度(Max) 125 ℃ - 125 ℃

保持电流(Max) 1000 mA - -

工作温度(Min) -40 ℃ - -