NTD2955PT4G、NTD2955T4G、NTD2955-1G对比区别

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型号 NTD2955PT4G NTD2955T4G NTD2955-1G

描述 -12A,-60V,P沟道MOSFETON SEMICONDUCTOR  NTD2955T4G  晶体管, MOSFET, P沟道, 12 A, -60 V, 0.155 ohm, -10 V, -2.8 VON SEMICONDUCTOR  NTD2955-1G  晶体管, MOSFET, P沟道, -12 A, -60 V, 0.155 ohm, -10 V, -2.8 V 新

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-251-3

额定电压(DC) - -60.0 V -60.0 V

额定电流 - -12.0 A -12.0 A

通道数 - 1 1

针脚数 - 4 3

漏源极电阻 0.155 Ω 0.155 Ω 0.155 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 55 W 55 W 55 W

阈值电压 - 2.8 V -

输入电容 - 500 pF 750 pF

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 12.0 A, -12.0 A 12.0 A, 12.0 mA 12.0 A

上升时间 45 ns 45 ns 45 ns

输入电容(Ciss) 750pF @25V(Vds) 750pF @25V(Vds) 750pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 55 W 55 W

下降时间 48 ns 48 ns 48 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 55 W 55 W 55 W

栅电荷 - - 30.0 nC

漏源击穿电压 - - 60 V

长度 - 6.73 mm 6.73 mm

宽度 - 6.22 mm 2.38 mm

高度 - 2.38 mm 6.35 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-251-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99