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SPI12N50C3HKSA1、SPI12N50C3XKSA1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SPI12N50C3HKSA1 SPI12N50C3XKSA1

描述 TO-262 N-CH 500V 11.6AInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-262-3-1 TO-262-3

极性 N-CH N-CH

耗散功率 125W (Tc) 125W (Tc)

漏源极电压(Vds) 500 V 560 V

连续漏极电流(Ids) 11.6A 11.6A

上升时间 8 ns 8 ns

输入电容(Ciss) 1200pF @25V(Vds) 1200pF @25V(Vds)

下降时间 8 ns 8 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 125W (Tc) 125W (Tc)

封装 TO-262-3-1 TO-262-3

长度 - 10.36 mm

宽度 - 4.52 mm

高度 - 9.45 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅