BUK9230-100B、RFD16N06LESM、IRF1010NSTRLPBF对比区别

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型号 BUK9230-100B RFD16N06LESM IRF1010NSTRLPBF

描述 的TrenchMOS ™逻辑电平FET TrenchMOS⑩ logic level FET16A ， 60V ， 0.047欧姆，逻辑电平， N沟道功率MOSFET 16A, 60V, 0.047 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETsHEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Intersil (英特矽尔) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 DPAK - TO-263-3

极性 N-CH - N-Channel

漏源极电压(Vds) 100 V - 55 V

连续漏极电流(Ids) 47A - 85A

上升时间 86 ns - 76 ns

输入电容(Ciss) 2854pF @25V(Vds) - 3210pF @25V(Vds)

下降时间 46 ns - 48 ns

工作温度(Max) 185 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 167000 mW - 180W (Tc)

额定功率 - - 180 W

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.011 Ω

耗散功率 - - 180 W

阈值电压 - - 4 V

输入电容 - - 3210 pF

反向恢复时间 - - 69 ns

正向电压(Max) - - 1.3 V

额定功率(Max) - - 180 W

工作结温 - - -55℃ ~ 175℃

封装 DPAK - TO-263-3

长度 - - 10.67 mm

宽度 - - 11.3 mm

高度 - - 4.83 mm

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 -

含铅标准 Lead Free - Lead Free

材质 - - Silicon

工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)