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BSM150GB170DLCHOSA1、FZ400R12KS4HOSA1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSM150GB170DLCHOSA1 FZ400R12KS4HOSA1

描述 Medium Power 62mm晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 510 A, 3.2 V, 2.5 kW, 1.2 kV, Module

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类

基础参数对比

引脚数 - 4

封装 - AG-62MM-2

耗散功率 - 2.5 kW

击穿电压(集电极-发射极) 1700 V 1200 V

输入电容(Cies) 10nF @25V 26nF @25V

额定功率(Max) 1250 W 2500 W

工作温度(Max) - 125 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

耗散功率(Max) - 2500000 mW

封装 - AG-62MM-2

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free