2N3879、JANTX2N3879、2N5430对比区别
描述 NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORNPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORTrans GP BJT NPN 100V 7A 40000mW 3Pin(2+Tab) TO-66
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-66 TO-213 TO-66-2
频率 - - 30 MHz
耗散功率 35 W - 40 W
耗散功率(Max) 35000 mW 35000 mW 40000 mW
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -
击穿电压(集电极-发射极) - 75 V -
最小电流放大倍数(hFE) - 20 @4A, 5V -
额定功率(Max) - 35 W -
封装 TO-66 TO-213 TO-66-2
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tray Tray Bulk
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 - -
ECCN代码 - - EAR99