APT20N60SC3、STB23NM60ND、FCB20N60对比区别

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型号 APT20N60SC3 STB23NM60ND FCB20N60

描述 D3PAK N-CH 600V 20.7ASTMICROELECTRONICS  STB23NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 150 mohm, 10 V, 4 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCB20N60  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 150 mohm, 10 V, 5 V

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管中高压MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 D3PAK TO-263-3 TO-263

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.15 Ω 0.15 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 - 150 W 208 W

阈值电压 - 4 V 5 V

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 20.7A 10.0 A 20.0 A

上升时间 - 19 ns -

输入电容(Ciss) - 2050pF @50V(Vds) -

额定功率(Max) - 150 W -

下降时间 - 42 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 150W (Tc) -

长度 - 10.75 mm -

宽度 - 10.4 mm -

高度 - 4.6 mm -

封装 D3PAK TO-263-3 TO-263

工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15