锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IXFH22N50P、IXTQ460P2、IXTV22N50PS对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFH22N50P IXTQ460P2 IXTV22N50PS

描述 Single N-Channel 500V 350W 50NC Through Hole Power Mosfet - TO-247ADN沟道Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3Pin(2+Tab) PLUS220 SMD

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-247-3 TO-3-3 PLUS-220SMD

额定电压(DC) 500 V - 500 V

额定电流 22.0 A - 22.0 A

漏源极电阻 270 mΩ 270 mΩ -

极性 N-Channel - -

耗散功率 350 W 480 W 350W (Tc)

输入电容 2.63 nF - 2.63 nF

栅电荷 50.0 nC - 50.0 nC

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

漏源击穿电压 500 V 500 V -

连续漏极电流(Ids) 22.0 A - 22.0 A

上升时间 25 ns 9 ns -

输入电容(Ciss) 2630pF @25V(Vds) 2890pF @25V(Vds) 2630pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 350 W - -

下降时间 21 ns 5 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -

耗散功率(Max) 350W (Tc) 480W (Tc) 350W (Tc)

额定功率 - 480 W -

通道数 - 1 -

封装 TO-247-3 TO-3-3 PLUS-220SMD

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free