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IXFK210N17T、IXFK220N17T2对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFK210N17T IXFK220N17T2

描述 TO-264 N-CH 170V 210ATO-264AA N-CH 170V 220A

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-264-3 TO-264-3

引脚数 - 3

极性 N-CH N-CH

耗散功率 1150W (Tc) 1250W (Tc)

漏源极电压(Vds) 170 V 170 V

漏源击穿电压 170 V -

连续漏极电流(Ids) 210A 220A

输入电容(Ciss) 18800pF @25V(Vds) 31000pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 1150W (Tc) 1250W (Tc)

通道数 - 1

阈值电压 - 5 V

上升时间 - 160 ns

下降时间 - 150 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

封装 TO-264-3 TO-264-3

宽度 - 5.13 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free