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MPLAD30KP51CAE3、MXPLAD30KP51CAE3、MPLAD30KP51CA对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MPLAD30KP51CAE3 MXPLAD30KP51CAE3 MPLAD30KP51CA

描述 51V 30000WTVS 30kW BIDIRECT PLAD51V 30000W

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 二极管TVS二极管二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 - 2

封装 SMD SMD SMD

耗散功率 30 kW - 30 kW

钳位电压 82.4 V - 82.4 V

最大反向电压(Vrrm) 51V - 51V

测试电流 5 mA - 5 mA

脉冲峰值功率 30000 W 30000 W 30000 W

最小反向击穿电压 56.7 V 56.7 V 56.7 V

击穿电压 - - 56.7 V

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃

封装 SMD SMD SMD

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag - Bag

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free