SI7495DP-T1-E3、SI7635DP-T1-GE3对比区别

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型号 SI7495DP-T1-E3 SI7635DP-T1-GE3

描述 MOSFET P-CH 12V 13A PPAK SO-8MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC

数据手册 --

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SO-8 SO-8

耗散功率 1.8W (Ta) 5W (Ta), 54W (Tc)

输入电容(Ciss) - 4595pF @10V(Vds)

耗散功率(Max) 1.8W (Ta) 5W (Ta), 54W (Tc)

漏源极电压(Vds) 12 V -

封装 SO-8 SO-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free