FDMS6673BZ、SI7465DP-T1-E3、BSC060P03NS3EGATMA1对比区别
型号 FDMS6673BZ SI7465DP-T1-E3 BSC060P03NS3EGATMA1
描述 PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。SI7465DP-T1-E3 编带INFINEON BSC060P03NS3EGATMA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -100 A, -30 V, 0.0041 ohm, -10 V, -2.5 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 Power-56 SO-8 PG-TDSON
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.0052 Ω 0.051 Ω 0.0041 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 73 W 1.5 W 83 W
漏源极电压(Vds) 30 V 60 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 15.2A -5.00 A 17.7A
上升时间 28 ns 9 ns 139 ns
输入电容(Ciss) 5915pF @15V(Vds) - 4530pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 1.5 W -
下降时间 79 ns 30 ns 34 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 73W (Tc) 3500 mW 2500 mW
阈值电压 - 3 V 2.5 V
正向电压(Max) - 1.2 V -
长度 5 mm - 6.35 mm
宽度 6 mm - 5.35 mm
高度 1.05 mm - 1.1 mm
封装 Power-56 SO-8 PG-TDSON
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 - 2500 -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17