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BSP75、BTS117、TS117对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSP75 BTS117 TS117

描述 BSP75 N沟道MOSFET 55V 700mA/0.7A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 BSP75 低噪声增益控制放大器INFINEON  BTS117..  场效应管, MOSFET, LOGIC SMART SWITCH TO-220 [ROHS Substitute: 1156427]Buffer/Inverter Based Peripheral Driver, 10A, MOS, PSFM3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Siemens Semiconductor (西门子)

分类 电源管理

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole -

封装 SOT-223 TO-220-3 -

引脚数 - 3 -

封装 SOT-223 TO-220-3 -

长度 - 10 mm -

宽度 - 4.4 mm -

高度 - 15.65 mm -

厚度 - 4.40 mm -

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 - Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant -

含铅标准 Lead Free Contains Lead -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

电源电压(DC) - 1.30V (min) -

额定电压(DC) - 60.0 V -

额定电流 - 3.50 A -

输出接口数 - 1 -

输入电压(DC) - 60.0 V -

输出电流 - 3.5 A -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 100 mΩ -

极性 - N-Channel -

耗散功率 - 50000 mW -

漏源极电压(Vds) - 60 V -

连续漏极电流(Ids) - 3.50 A -

输出电流(Max) - 3.5 A -

输出电流(Min) - 3.5 A -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

耗散功率(Max) - 50000 mW -

电源电压 - 2.2V ~ 10V -

电源电压(Max) - 10 V -

电源电压(Min) - 1.3 V -

输入电压 - 60 V -

工作温度 - -40℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -