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FDMS7672、FDS7064SN3、FDS7066SN3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDMS7672 FDS7064SN3 FDS7066SN3

描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。30V N沟道的PowerTrench SyncFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET30V N通道PowerTrench SyncFET⑩ 30V N-Channel PowerTrench SyncFET⑩

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 8 8 -

封装 Power-56-8 SOIC-8 SOIC

通道数 1 1 -

漏源极电阻 5 mΩ 8 mΩ 5.50 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 3 W 3.00 W

阈值电压 2 V - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30 V 30 V 30.0 V

连续漏极电流(Ids) 19A 16.0 A 19.0 A

上升时间 5 ns 20 ns -

输入电容(Ciss) 2960pF @15V(Vds) 2800pF @15V(Vds) -

额定功率(Max) 2.5 W 1.5 W -

下降时间 4 ns 18 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 48W (Tc) 3.13W (Ta) -

栅源击穿电压 - ±16.0 V 10.0 V

额定电压(DC) - 30.0 V -

额定电流 - 16.0 A -

长度 5 mm 4.9 mm -

宽度 6 mm 3.9 mm -

高度 1.05 mm 1.75 mm -

封装 Power-56-8 SOIC-8 SOIC

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2014/12/17 - -

ECCN代码 - EAR99 -