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FQD8P10TM、FQD8P10TM_SB82052、IRFR9120TRPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQD8P10TM FQD8P10TM_SB82052 IRFR9120TRPBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD8P10TM  晶体管, MOSFET, P沟道, -6.6 A, -100 V, 0.41 ohm, -10 V, -4 VMOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK功率MOSFET Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.41 Ω 530 mΩ 0.6 Ω

极性 P-Channel - P-Channel

耗散功率 44 W 2.5W (Ta), 44W (Tc) 2.5 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 6.60 A - -5.60 A

上升时间 110 ns - 29 ns

输入电容(Ciss) 470pF @25V(Vds) 470pF @25V(Vds) 390pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W - 2.5 W

下降时间 35 ns - 25 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 44W (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) 42 W

额定电压(DC) -100 V - -

额定电流 -6.60 A - -

通道数 1 1 -

栅源击穿电压 ±30.0 V - -

漏源击穿电压 - 100 V -

长度 6.6 mm 6.73 mm 6.73 mm

宽度 6.1 mm 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.3 mm 2.39 mm 2.38 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - - 2000

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 - -