BSC050N03LS G、BSC050N03LSGATMA1对比区别

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型号 BSC050N03LS G BSC050N03LSGATMA1

描述 INFINEON  BSC050N03LS G  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 4.2 mohm, 10 V, 1 VINFINEON  BSC050N03LSGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.0042 ohm, 10 V, 2.2 V 新

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8

额定功率 - 50 W

通道数 1 1

针脚数 8 8

漏源极电阻 4.2 mΩ 0.0042 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 50 W 50 W

阈值电压 1 V 1 V

输入电容 - 2100 pF

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) - 18A

上升时间 4 ns 4 ns

输入电容(Ciss) 2800pF @15V(Vds) 2800pF @15V(Vds)

下降时间 3.6 ns 3.6 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc)

漏源击穿电压 30 V -

额定功率(Max) 50 W -

长度 5.9 mm 5.49 mm

封装 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8

宽度 5.15 mm -

高度 1.27 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99