IXFK120N25、IXTH110N25T、IXTK120N25P对比区别
型号 IXFK120N25 IXTH110N25T IXTK120N25P
描述 Trans MOSFET N-CH 250V 120A 3Pin(3+Tab) TO-264AATO-247AD N-CH 250V 110AIXYS SEMICONDUCTOR IXTK120N25P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 120 A, 250 V, 24 mohm, 10 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-264-3 TO-247-3 TO-264-3
极性 - N-CH N-Channel
耗散功率 560 W 694W (Tc) 700 W
漏源极电压(Vds) 250 V 250 V 250 V
连续漏极电流(Ids) - 110A 120 A
上升时间 38 ns 27 ns 33 ns
输入电容(Ciss) 9400pF @25V(Vds) 9400pF @25V(Vds) 8000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 694 W 700 W
下降时间 35 ns 27 ns 33 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 560W (Tc) 694W (Tc) 700W (Tc)
针脚数 - - 3
漏源极电阻 22 mΩ - 0.024 Ω
阈值电压 - - 5 V
通道数 1 - -
漏源击穿电压 250 V - -
封装 TO-264-3 TO-247-3 TO-264-3
长度 19.96 mm - -
宽度 5.13 mm - -
高度 26.16 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 - -