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BSC22DN20NS3GATMA1、BSZ22DN20NS3GATMA1、BUZ73L对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSC22DN20NS3GATMA1 BSZ22DN20NS3GATMA1 BUZ73L

描述 INFINEON  BSC22DN20NS3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 200 V, 0.194 ohm, 10 V, 3 VINFINEON  BSZ22DN20NS3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 200 V, 0.194 ohm, 10 V, 3 VSIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 8 8 3

封装 TDSON-8 TSDSON-8 TO-220-3

额定功率 34 W 34 W -

针脚数 8 8 -

漏源极电阻 0.194 Ω 0.194 Ω 400 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 34 W 34 W 40 W

阈值电压 3 V 3 V -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 7A 7A 7.00 A

上升时间 4 ns 4 ns 60 ns

输入电容(Ciss) 320pF @100V(Vds) 320pF @100V(Vds) 840pF @25V(Vds)

下降时间 3 ns 3 ns 40 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 34 W 34000 mW 40W (Tc)

额定电压(DC) - - 200 V

额定电流 - - 7.00 A

通道数 - - 1

输入电容 - - 840 pF

漏源击穿电压 - - 200 V

长度 5.35 mm 3.3 mm 10 mm

宽度 6.35 mm 3.3 mm 4.4 mm

高度 1.1 mm 1.1 mm 15.65 mm

封装 TDSON-8 TSDSON-8 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -