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IXTA4N60P、IXTY4N60P、IXFP4N60P3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTA4N60P IXTY4N60P IXFP4N60P3

描述 Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3Pin(2+Tab) D2PAKDPAK N-CH 600V 4AN 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-220-3

引脚数 - - 3

极性 - N-CH -

耗散功率 89W (Tc) 89W (Tc) 114W (Tc)

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 4.00 A 4A -

输入电容(Ciss) 635pF @25V(Vds) 635pF @25V(Vds) 365pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 89W (Tc) 89W (Tc) 114W (Tc)

额定电压(DC) 600 V - -

额定电流 4.00 A - -

输入电容 635 pF - -

栅电荷 13.0 nC - -

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-220-3

长度 - - 10.66 mm

宽度 - - 4.83 mm

高度 - - 16 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free