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IRGP4062-EPBF、STGW30H65FB对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRGP4062-EPBF STGW30H65FB

描述 IGBT 晶体管 IR IGBT 600V 600V 24A TO-247ADTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3

耗散功率 250 W 260 W

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 650 V

额定功率(Max) 250 W 260 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 250000 mW 260000 mW

封装 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99