IRGP4062-EPBF、STGW30H65FB对比区别
描述 IGBT 晶体管 IR IGBT 600V 600V 24A TO-247ADTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3
耗散功率 250 W 260 W
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 650 V
额定功率(Max) 250 W 260 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 250000 mW 260000 mW
封装 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99