MT29F2G08ABAEAH4:E、MT29F2G08ABAFAWP:F、MT29F2G08ABAEAH4:E TR对比区别

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型号 MT29F2G08ABAEAH4:E MT29F2G08ABAFAWP:F MT29F2G08ABAEAH4:E TR

描述 Flash, 256MX8, 25ns, PBGA63, 9 X 11MM, 1MM HEIGHT, VFBGA-63SLC NAND Flash Parallel 3.3V 2Gbit 256M x 8Bit 48Pin TSOP-ISLC NAND Flash Parallel 3.3V 2Gbit 256M x 8Bit 63Pin VFBGA T/R

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 Flash芯片Flash芯片Flash芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 63 48 63

封装 VFBGA-63 TSOP VFBGA-63

工作电压 3.30 V - -

供电电流 35 mA 30 mA 35 mA

位数 8 8 8

内存容量 250000000 B - -

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V - 2.7V ~ 3.6V

存取时间(Max) - 30 ns -

封装 VFBGA-63 TSOP VFBGA-63

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 - Lead Free