BSC0901NSI、FDMS8662对比区别

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型号 BSC0901NSI FDMS8662

描述 30V,2mΩ,100A,N沟道功率MOSFETN沟道MOSFET PowerTrench㈢ 30V ， 49A ， 2.0米ヘ N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 30V, 49A, 2.0mヘ

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 -

封装 PG-TDSON-8 Power-56-8

极性 N-Channel N-CH

耗散功率 2.5 W 2.5 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 28A 28A

上升时间 7.2 ns 10 ns

输入电容(Ciss) 2600pF @15V(Vds) 6420pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 69 W 2.5 W

下降时间 4.6 ns 7 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 69W (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc)

长度 5.9 mm 6 mm

宽度 5.15 mm 5 mm

高度 1.27 mm 1.1 mm

封装 PG-TDSON-8 Power-56-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - -

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free